Навіны тэхналогій

Samsung ставіць на сеткавую DRAM з паменшанай затрымкай

Па інфармацыі Silicon Strategies, кампанія Samsung Electronics паведаміла аб афіцыйным выпуску "сеткавай DRAM" і ўяўляе ўзоры 256 Мбіт памяці ў канфігурацыях x8 і х16.

Тактавая частата ядра памяці - 154 і 200 МГц, у маштабе рэальнага часу гэтая частата падвойваецца з-за інтэрфейсу DDR. Вытворчасць гэтых чыпаў памяці пачнецца ў чацвёртым квартале.

У цяперашні час вядзецца пашырэнне лінейкі прадуктаў, таму, можна чакаць ядра з тактавай частатой да 333 МГц і канфігурацыі х9 і х18. Да цяперашняга часу кампанія не апавяшчала падрабязнасцяў, якія тычацца новай памяці. Кампаніі Samsung, Fujitsu і Toshiba плануюць прадставіць сеткавую DRAM і высакахуткасную памяць, кампанія Infineon Technologies распрацавала і прадставіць DRAM c паменшанай затрымкай, ліцэнзаваную Micron Technology. Ледзь пазней у гэтым годзе Hynix Semiconductor і Elpida Memory прадставяць трэці стандарт памяці з архітэктурай DDR - II.